汕头市高博尔新材料有限公司

        AS 66 E添加于薄膜芯层，建议添加量为0.5-3%；使用AS 66 E能提供给薄膜优良的抗静电特性、极佳的光学性能和优良的印刷性能；

        由于抗静电剂是由薄膜芯层逐渐迁移至表面发挥作用，迁移速度与薄膜制造及后期加工时的环境温度相关，因此具体添加量可随薄膜厚度、季节、抗静电效果的不同要求而调整。